SVG104R0NT(S) N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)晶體管采用新葡京平臺的LVMOS 工藝技術(shù)制造。先進(jìn)的工藝及元胞結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。
該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于不間斷電源及逆變器系統(tǒng)的電源管理領(lǐng)域。
120A，100V，RDS(on)（典型值）=3.4mW@VGS=10V
低柵極電荷量
低反向傳輸電容
開關(guān)速度快
提升了dv/dt 能力
| 標(biāo)題 | 類型 | 大小 (KB) | 日期 | 下載最新中文版本 |
|---|---|---|---|---|
| SVG104R0NT(S) | 332 | 2020-12-05 | SVG104R0NT(S) 說明書_1.4 |
